Evatec Solaris S151

SOLARIS® S151

超高产能全自动连续型生产解决方案

 

SOLARIS® S151提供基础配置并着眼于未来多工艺的可扩展性。最大基片尺寸可达8英寸,可靠的量产性以及可扩展性优化了机台利用率和成本。

SOLARIS® S151适合功率器件,光电及光学等领域。

 

SOLARIS® S151可配置6个独立的腔体,分别用于RTP, PVD, 刻蚀或CVD等工艺。直接基板或载台传输控制使工艺变化更加灵活,即使是小批量生产也不会降低工艺质量。

机台亮点:

  • 不同基板尺寸快速切换的载台系统
  • 载台自动上片下片
  • 占地空间小,运营成本低
  • 灵活配置 - 单腔之间隔离
  • 多材料候选 - 单腔的靶材和工艺配置独立
  • 多源共溅射 - 最多允许4种不同金属同时镀膜形成合金
  • 溅射时基板自转 - 不均匀性<±2%
  • 有效镀膜区域直径可达225mm
  • 薄膜退火最高温度可达550°C
  • 基板表面离子清洗和活化
  • 易于集成到已有的工厂自动化中
  • 靶材和护板更换不超过30分钟

 

增强现实,到光伏太阳能,再到功率器件,SOLARIS® S151为众多材料镀膜提供了高速且良好的重复性。

可选的工艺包含大面积直流 (DC) 镀膜、直流脉冲 (DC Pulsed) 反应镀膜、自带冷却的射频 (RF) 镀膜或蚀刻,最高温度可达550°C的RTP,单腔最多4种材料共溅射的阴极。所有的工艺模块都是独立运行、相互隔离、按需定制的。

  • 电介质:SiN-H,SiN,SiO2,Al2O3,SiC
  • 金属氧化物:NbO2,TiO2,Ta2O5
  • 透明导电氧化物膜:ITO,GZO,Zn:AlO
  • 金属膜:Al,NiV,Ag,AuGe
  • 多材料共溅射形成的合金
  • 整个载台镀膜区域不均匀性 <±2%

 

 

了解更多SOLARIS® 性能请下载产品手册,或翻阅Evatec LAYERS 杂志,或联系本地销售和服务团队。

 

SOLARIS® S151提供基础配置并着眼于未来多工艺的可扩展性。最大基片尺寸可达8英寸,可靠的量产性以及可扩展性优化了机台利用率和成本。

SOLARIS® S151适合功率器件,光电及光学等领域。

 

SOLARIS® S151可配置6个独立的腔体,分别用于RTP, PVD, 刻蚀或CVD等工艺。直接基板或载台传输控制使工艺变化更加灵活,即使是小批量生产也不会降低工艺质量。

机台亮点:

  • 不同基板尺寸快速切换的载台系统
  • 载台自动上片下片
  • 占地空间小,运营成本低
  • 灵活配置 - 单腔之间隔离
  • 多材料候选 - 单腔的靶材和工艺配置独立
  • 多源共溅射 - 最多允许4种不同金属同时镀膜形成合金
  • 溅射时基板自转 - 不均匀性<±2%
  • 有效镀膜区域直径可达225mm
  • 薄膜退火最高温度可达550°C
  • 基板表面离子清洗和活化
  • 易于集成到已有的工厂自动化中
  • 靶材和护板更换不超过30分钟

 

增强现实,到光伏太阳能,再到功率器件,SOLARIS® S151为众多材料镀膜提供了高速且良好的重复性。

可选的工艺包含大面积直流 (DC) 镀膜、直流脉冲 (DC Pulsed) 反应镀膜、自带冷却的射频 (RF) 镀膜或蚀刻,最高温度可达550°C的RTP,单腔最多4种材料共溅射的阴极。所有的工艺模块都是独立运行、相互隔离、按需定制的。

  • 电介质:SiN-H,SiN,SiO2,Al2O3,SiC
  • 金属氧化物:NbO2,TiO2,Ta2O5
  • 透明导电氧化物膜:ITO,GZO,Zn:AlO
  • 金属膜:Al,NiV,Ag,AuGe
  • 多材料共溅射形成的合金
  • 整个载台镀膜区域不均匀性 <±2%

 

 

了解更多SOLARIS® 性能请下载产品手册,或翻阅Evatec LAYERS 杂志,或联系本地销售和服务团队。

 

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