SOLARIS® S151提供基础配置并着眼于未来多工艺的可扩展性。最大基片尺寸可达8英寸,可靠的量产性以及可扩展性优化了机台利用率和成本。
SOLARIS® S151适合功率器件,光电及光学等领域。
SOLARIS® S151可配置6个独立的腔体,分别用于RTP, PVD, 刻蚀或CVD等工艺。直接基板或载台传输控制使工艺变化更加灵活,即使是小批量生产也不会降低工艺质量。
机台亮点:
从增强现实,到光伏太阳能,再到功率器件,SOLARIS® S151为众多材料镀膜提供了高速且良好的重复性。
可选的工艺包含大面积直流 (DC) 镀膜、直流脉冲 (DC Pulsed) 反应镀膜、自带冷却的射频 (RF) 镀膜或蚀刻,最高温度可达550°C的RTP,单腔最多4种材料共溅射的阴极。所有的工艺模块都是独立运行、相互隔离、按需定制的。
了解更多SOLARIS® 性能请下载产品手册,或翻阅Evatec LAYERS 杂志,或联系本地销售和服务团队。
SOLARIS® S151提供基础配置并着眼于未来多工艺的可扩展性。最大基片尺寸可达8英寸,可靠的量产性以及可扩展性优化了机台利用率和成本。
SOLARIS® S151适合功率器件,光电及光学等领域。
SOLARIS® S151可配置6个独立的腔体,分别用于RTP, PVD, 刻蚀或CVD等工艺。直接基板或载台传输控制使工艺变化更加灵活,即使是小批量生产也不会降低工艺质量。
机台亮点:
从增强现实,到光伏太阳能,再到功率器件,SOLARIS® S151为众多材料镀膜提供了高速且良好的重复性。
可选的工艺包含大面积直流 (DC) 镀膜、直流脉冲 (DC Pulsed) 反应镀膜、自带冷却的射频 (RF) 镀膜或蚀刻,最高温度可达550°C的RTP,单腔最多4种材料共溅射的阴极。所有的工艺模块都是独立运行、相互隔离、按需定制的。
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