功率器件
金属化和薄晶圆加工
受益于Evatec 在功率器件应用方面的长期经验，可以提高生产率，工艺稳定性和良率并降低生产成本。我们提供高速率溅射或蒸发台，可批量生产MOSFET, IGBT IGCT, LDMOS, SiC和GaN功率器件。
在溅射技术中，CLUSTERLINE® 系列200mm 和300mm 机台为厚的前端金属镀膜提供了高产量的应用。专用PVD工艺模块中的单晶片加工配备了高速率溅射源和无夹钳加热卡盘 (常规或静电卡盘 – ESC)，可进行先进的温度管理，确保严格的工艺控制和最佳的颗粒性能。结合集群机台体系结构的并行处理能力，CLUSTERLINE® 为许多苛刻的应用提供了最佳的工艺稳定性和最高的生产率。
Evatec 的BAK系列基于业界标准设计，其最先进的行星架传输和翻转系统，在单面和双面的工艺中，为正面的厚铝和背面的接触叠层蒸镀提供完美的解决方案。
您可以在 LAYERS 杂志里了解我们应用在功率器件领域的薄膜生产解决方案的更多信息
应用于功率器件的EVATEC 机型
Evatec 提供基于蒸镀和溅射两种技术的批量式，集群式或全自动连续性生产机台.
我们的专家将根据您的工艺要求，产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。
晶圆加工
对于薄晶圆上的BSM或SiC＆GaN WBG技术等应用，成熟的CLUSTERLINE® 处理能力可实现安全，直接的薄晶圆处理，适用于200mm 以下至70微米的晶圆以及200/300mm Taiko晶圆至60微米进行无缺陷金属化工艺。
CLUSTERLINE® 200和300提供背面工艺，用于用Ar/H2进行原位预刻蚀，原位退火，控制应力和温度管理以及形成高质量的欧姆接触，从而使晶片的翘曲或变形最小。
SIC和GaN宽带隙技术
对于硅上的SiC和GaN应用，Evatec 的机台产品组合提供了多种工艺技术，使高端镀膜工艺满足开发和批量生产要求严苛的新型器件。了解更多请联系我们。
受益于Evatec 在功率器件应用方面的长期经验，可以提高生产率，工艺稳定性和良率并降低生产成本。我们提供高速率溅射或蒸发台，可批量生产MOSFET, IGBT IGCT, LDMOS, SiC和GaN功率器件。
在溅射技术中，CLUSTERLINE® 系列200mm 和300mm 机台为厚的前端金属镀膜提供了高产量的应用。专用PVD工艺模块中的单晶片加工配备了高速率溅射源和无夹钳加热卡盘 (常规或静电卡盘 – ESC)，可进行先进的温度管理，确保严格的工艺控制和最佳的颗粒性能。结合集群机台体系结构的并行处理能力，CLUSTERLINE® 为许多苛刻的应用提供了最佳的工艺稳定性和最高的生产率。
Evatec 的BAK系列基于业界标准设计，其最先进的行星架传输和翻转系统，在单面和双面的工艺中，为正面的厚铝和背面的接触叠层蒸镀提供完美的解决方案。
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应用于功率器件的EVATEC 机型
Evatec 提供基于蒸镀和溅射两种技术的批量式，集群式或全自动连续性生产机台.
我们的专家将根据您的工艺要求，产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。
晶圆加工
对于薄晶圆上的BSM或SiC＆GaN WBG技术等应用，成熟的CLUSTERLINE® 处理能力可实现安全，直接的薄晶圆处理，适用于200mm 以下至70微米的晶圆以及200/300mm Taiko晶圆至60微米进行无缺陷金属化工艺。
CLUSTERLINE® 200和300提供背面工艺，用于用Ar/H2进行原位预刻蚀，原位退火，控制应力和温度管理以及形成高质量的欧姆接触，从而使晶片的翘曲或变形最小。
SIC和GaN宽带隙技术
对于硅上的SiC和GaN应用，Evatec 的机台产品组合提供了多种工艺技术，使高端镀膜工艺满足开发和批量生产要求严苛的新型器件。了解更多请联系我们。