刻蚀技术
晶圆或面板级应用的技术
高速率和高均匀性的刻蚀工艺带来了一系列挑战，同时通过额外的等离子刻蚀处理可进一步提高薄膜的优异性能。在刻蚀金属，介电层，薄膜致密性，原生氧化层去除，后氧化工艺，去残渣和溅镀工艺等广泛领域， Evatec 提供定制化的设计和专业的工艺经验。我们所有的解决方案都有一个共同的目标，即最大化的提高产能和最小化运营成本。
介电层刻蚀
在任何表面处理的开始阶段，薄膜的附着能力都起着至关重要的作用。特别是在聚合物上镀功能性薄膜（如滤光片）时，配备Evatec 批量处理模组技术的MSP 和CLUSTERLINE® 200的表面活化和原生氧化层去除功能，可获得最佳镀膜结果。在实际镀膜过程中，使用我们的等离子辅助刻蚀方法来获得金属氧化物镀膜的最佳效果。在我们的CCP光源中产生等离子束，并将这等离子束以可控的离子能量应用于生长薄膜上，可以产生优越的密度。一致性/间隙填充和表面粗糙度-----没有其他技术可以在品质和数量上达到相同的水平。这是用于光学带通滤光片，温度补偿表面声波滤波器（SAW）和许多其他应用的多层薄膜的大规模制造最佳解决方案。
金属刻蚀
离子束刻蚀是BAK机台上蒸镀应用的选择。
先进封装
CLUSTERLINE®300和HEXAGON机台上使用高离子通量感应式耦合等离子(ICP)极低温刻蚀技术并结合RF基板偏压，与除气和溅镀技术相结合，能够在在典型高除气有机基材扇出型晶圆级封装（FOWLP）应用中实现稳定接触电阻（RC）值。如果需要刻蚀更大的表面，EVATEC 的CLUSTERLINE® 600机台应用双频电容耦合等离子 （CCP）技术在任何物理或化学刻蚀工艺上，使Fanout和IC基板制造在面板级尺寸上得以实现。
了解更多我们的专业技术和机台，请点击单独页面或点击此处联系我们。
感应式耦合等离子(ICP)技术
选择Evatec 感应式耦合等离子 (ICP)技术，从以下特性中获益
- 优化反应器设计和驱动频率意味着ICP过程在非常高的等离子密度和可重复的方式下运行。
-
用于调整高离子电流冲击能量的射频偏压可使物理和化学刻蚀过程具有非常高的速率。
-
物理离子刻蚀可以与化学刻蚀结合，通过Etching Mask空间调整，进而调整从晶圆中心到边缘的选择性刻蚀比。
-
为清洁工艺精心开发的晶圆环境，使晶片具有最佳的颗粒度表现。
电容耦合等离子技术 (CCP)技术
选择Evatec 电容耦合等离子技术 (CCP) 技术，从以下特性中获益
- 电容耦合等离子源是一种成熟的薄膜刻蚀技术，基于丰富的经验提供可靠的刻蚀解决方案。
- 我们的最新模组提供单频或双频射频供应系统，在连续或脉冲模式下运行可为最艰巨的应用提供最佳的刻蚀工艺。
- 硬件设计用于广泛的离子能量和离子通量控制范围，意味着您可以随着未来要求的变化来调整刻蚀步骤。
- 内置磁性或几何“等离子塑形”选项，使刻蚀率和均匀性同时保持在百分率范围内，为高量产和长运行时间的良好成本效率提供了强大的解决方案。
-
采用低压高能，准中性等离子进行表面处理，可使晶圆上敏感薄膜层或器件的充放电最小。
刻蚀机台
我们的每个机台都配备了特定的反应器设计，贴合先进封装，半导体，光电和光学市场的需求。
我们配备等离子刻蚀能力的镀膜工艺方案使每一个功能强大的机台都有全套镀膜工艺解决方案。
我们的专家将帮助您找到合适的机台，或者点击图片链接了解更多每个机型的信息。
高速率和高均匀性的刻蚀工艺带来了一系列挑战，同时通过额外的等离子刻蚀处理可进一步提高薄膜的优异性能。在刻蚀金属，介电层，薄膜致密性，原生氧化层去除，后氧化工艺，去残渣和溅镀工艺等广泛领域， Evatec 提供定制化的设计和专业的工艺经验。我们所有的解决方案都有一个共同的目标，即最大化的提高产能和最小化运营成本。
介电层刻蚀
在任何表面处理的开始阶段，薄膜的附着能力都起着至关重要的作用。特别是在聚合物上镀功能性薄膜（如滤光片）时，配备Evatec 批量处理模组技术的MSP 和CLUSTERLINE® 200的表面活化和原生氧化层去除功能，可获得最佳镀膜结果。在实际镀膜过程中，使用我们的等离子辅助刻蚀方法来获得金属氧化物镀膜的最佳效果。在我们的CCP光源中产生等离子束，并将这等离子束以可控的离子能量应用于生长薄膜上，可以产生优越的密度。一致性/间隙填充和表面粗糙度-----没有其他技术可以在品质和数量上达到相同的水平。这是用于光学带通滤光片，温度补偿表面声波滤波器（SAW）和许多其他应用的多层薄膜的大规模制造最佳解决方案。
金属刻蚀
离子束刻蚀是BAK机台上蒸镀应用的选择。
先进封装
CLUSTERLINE®300和HEXAGON机台上使用高离子通量感应式耦合等离子(ICP)极低温刻蚀技术并结合RF基板偏压，与除气和溅镀技术相结合，能够在在典型高除气有机基材扇出型晶圆级封装（FOWLP）应用中实现稳定接触电阻（RC）值。如果需要刻蚀更大的表面，EVATEC 的CLUSTERLINE® 600机台应用双频电容耦合等离子 （CCP）技术在任何物理或化学刻蚀工艺上，使Fanout和IC基板制造在面板级尺寸上得以实现。
了解更多我们的专业技术和机台，请点击单独页面或点击此处联系我们。
感应式耦合等离子(ICP)技术
选择Evatec 感应式耦合等离子 (ICP)技术，从以下特性中获益
- 优化反应器设计和驱动频率意味着ICP过程在非常高的等离子密度和可重复的方式下运行。
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用于调整高离子电流冲击能量的射频偏压可使物理和化学刻蚀过程具有非常高的速率。
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物理离子刻蚀可以与化学刻蚀结合，通过Etching Mask空间调整，进而调整从晶圆中心到边缘的选择性刻蚀比。
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为清洁工艺精心开发的晶圆环境，使晶片具有最佳的颗粒度表现。
电容耦合等离子技术 (CCP)技术
选择Evatec 电容耦合等离子技术 (CCP) 技术，从以下特性中获益
- 电容耦合等离子源是一种成熟的薄膜刻蚀技术，基于丰富的经验提供可靠的刻蚀解决方案。
- 我们的最新模组提供单频或双频射频供应系统，在连续或脉冲模式下运行可为最艰巨的应用提供最佳的刻蚀工艺。
- 硬件设计用于广泛的离子能量和离子通量控制范围，意味着您可以随着未来要求的变化来调整刻蚀步骤。
- 内置磁性或几何“等离子塑形”选项，使刻蚀率和均匀性同时保持在百分率范围内，为高量产和长运行时间的良好成本效率提供了强大的解决方案。
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采用低压高能，准中性等离子进行表面处理，可使晶圆上敏感薄膜层或器件的充放电最小。
刻蚀机台
我们的每个机台都配备了特定的反应器设计，贴合先进封装，半导体，光电和光学市场的需求。
我们配备等离子刻蚀能力的镀膜工艺方案使每一个功能强大的机台都有全套镀膜工艺解决方案。
我们的专家将帮助您找到合适的机台，或者点击图片链接了解更多每个机型的信息。