PECVD技术
PLASMABOX®技术可在低工艺温度下提供高质量镀膜
经过生产验证的PLASMABOX® 概念意味着我们可以改善特殊应用的薄膜性能，减少不同真空状态造成的污染并原位清洁。借助压差和较低温的外腔壁，我们可以避免腔体除气杂质，改善薄膜质量。与其他的PECVD或CVD系统相比，我们的PECVD工艺的运行温度较低，这带来了很多优势：
- 概念灵活，可定制化
-
模组化的卡盘设计，可快速切换衬底尺寸
-
极高的薄膜纯度，优于标准平行板设计
- 出色的膜厚均匀性-8英寸以上为1.5％ (1 sigma) 和膜层特性
- 用六氟化硫（SF6）或其他气体进行原位清洁
- 双真空计（工艺/清洁压力调整能力（张应力/压应力）
- 折射率可调
- 具有高击穿电压的无针孔 (pinhole free) 薄膜
了解我们的专业知识和机台的更多信息，请点击各个页面或点击此处与我们联系。
Evatec PLASMABOX®工艺技术，知道如何使用包括NH3，SiH4，H2，Ar，He，N2O，N2，SF6，O2，N2和SiF4的工艺气体对包括SiO2，SiN，SiOxNy，SiOF，α-Si进行镀膜。
点击此处查看PLASMABOX®的剖面图
PECVD机台
Evatec 成熟的CLUSTERLINE® 200机台上可以使用配置PLASMABOX®的PECVD技术。
我们的专家将随时为您提供服务，如果您有任何疑问，请与我们联系。或者，点击照片链接了解更多信息。
经过生产验证的PLASMABOX® 概念意味着我们可以改善特殊应用的薄膜性能，减少不同真空状态造成的污染并原位清洁。借助压差和较低温的外腔壁，我们可以避免腔体除气杂质，改善薄膜质量。与其他的PECVD或CVD系统相比，我们的PECVD工艺的运行温度较低，这带来了很多优势：
- 概念灵活，可定制化
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模组化的卡盘设计，可快速切换衬底尺寸
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极高的薄膜纯度，优于标准平行板设计
- 出色的膜厚均匀性-8英寸以上为1.5％ (1 sigma) 和膜层特性
- 用六氟化硫（SF6）或其他气体进行原位清洁
- 双真空计（工艺/清洁压力调整能力（张应力/压应力）
- 折射率可调
- 具有高击穿电压的无针孔 (pinhole free) 薄膜
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Evatec PLASMABOX®工艺技术，知道如何使用包括NH3，SiH4，H2，Ar，He，N2O，N2，SF6，O2，N2和SiF4的工艺气体对包括SiO2，SiN，SiOxNy，SiOF，α-Si进行镀膜。
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PECVD机台
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