宽带隙 (WBG) 技术

SiC和GaN的状态报告 (Yole Développement的Hong Lin和Ana Villamor)

功率电子行业的强劲动力正导致随着硅接近其极限，WBG基材料（尤其是SiC和GaN）的使用量激增。基于这些材料的设备固有的特性，正在引领下一代的能源效率和性能。特别是，硅上的GaN功率器件更适合于高频应用，而SiC则更适合于高功率密度和高温逆变器。

市场正在蓬勃发展

尽管与硅功率器件市场相比SiC市场仍然相对较小，但由于其更成熟的技术，与GaN相比，SiC市场已经达到了相对可观的规模。2017年，SiC功率器件市场预计超过3亿美元，约为GaN功率器件的十倍。实际上，如今我们可以肯定的是，最终用户已开始采用SiC作为最终解决方案，尽管几年前市场非常之小。

如今，SiC市场的82％由二极管驱动，应用于电源的PFC和光伏应用的混合模块。

Yole Développement（Yole）预计，随着将这些器件引入EV / HEV等应用（包括充电基础设施）中，晶体管市场仍将以56％的年复合增长率CAGR 在2017-2023增长，部分原因是由于采用了完整的SiC模块。确实，这是整个行业的热门话题，我们看到所有汽车制造商及其一级供应商都在开发SiC解决方案

以上内容摘自LAYERS 4 刊发于2018/2019的文章，阅读全文请点击此处。

文章仅提供英文版本