磁控溅射外延

德国Freiburg Fraunhofer IAF应用固体物理研究所外延部门经理Agnė Žukauskaitė博士负责压电材料的开发，并分享了溅射AlScN薄膜的最新进展。

自2009年发现增强的氮化铝（Al1-xScxN，后称AlScN）压电性能以来，大家对其作为5G通信中的下一代宽带RF滤波器材料的兴趣不断增长。此外，对于需要压电换能器和致动器的其他应用（例如生物传感，能量收集或声学）也非常有吸引力。在Fraunhofer IAF上，重点是弥合材料科学与机台设计之间的差距，以便了解如何最佳地应用，乃至为这种令人兴奋的材料开辟新的视野。通常，对于压电谐振器应用，例如RF滤波器，最好用高度c轴取向的AlScN层。但是，在硅晶圆上镀AlScN，RF-MEMS应用中最常见的基底，会导致纹理膜，即晶粒的c轴取向为平面外，而随机取向为平面内。这会在制造的器件中产生额外的声损耗，降低了品质因数Q。如果可以从纹理生长转变为外延生长（基板和薄膜之间明确定义的面内外延关系），则器件性能可以通过卓越的材料质量得到进一步提高。

以上内容摘自LAYERS 4刊发于2018/2019的文章，阅读全文请点击此处。

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