CLUSTERLINE® 600
面板加工尺寸最高可达650mm
集群式Cluster机台主要用于单面板处理。Evatec 于2017年推出用于面板的设备，通过市场验证，适用于尺寸550x550mm 以下的基板生产。现在，最新设备可生产最大650 x 650mm 的基板尺寸。它集成了用于先进封装的除气，刻蚀和镀膜功能，应用于包括扇出面板级封装 (FOPLP) 和先进IC基板在内的生产。
选择CLUSTERLINE® 600：
- 灵活的集群式框架
- 可处理玻璃或除气量高的基板
- 可在生产过程中使基材保持静态，使颗粒数量最低
- 除气，刻蚀和镀膜工艺专业知识
CLUSTERLINE® 600开放式架构结构自带真空预载 (Load lock) 和真空6面传输通道，可根据需求轻松配置和扩展至最大650 x 650mm 的面板生产尺寸。
拥有机械装置和校准器操作端最多可集成四个载片端口
面板控制选项包括晶圆翘曲检测，离子发生器，静电感应装置，RF ID和面板温度感应器。
CLUSTERLINE® 600机台
- 真空预载和6面传送模块
- 最多配5个刻蚀或溅射工艺的工艺腔
- 新型高性能接口传输模块 (ITM) 和两个载片台
CLUSTERLINE® 600工艺模块/组件
- 全程独立工艺
- 大气压下批量除气
- 极低温刻蚀技术用于基板高除气
- 极佳均匀性的刻蚀和溅射技术
- 面板在工艺过程中全程静止，以达到最佳冷却和最少的颗粒物
源于电离层除气技术。在电离层压力下同时对21个基板进行除气，与均匀除气的真空工艺相比，性能优越，可在后续的工艺中获得最佳的薄膜附着力。
双频，双电极电容耦合等离子 (CCP) 刻蚀技术可以使面板在静止中，最少颗粒物状态时提供大面积刻蚀的均匀性。RIE刻蚀技术也可按客户工艺要求提供。
阴极旋转溅射技术可降低运营成本。就像在刻蚀中一样，面板在溅射过程中保持静态，以减少颗粒数量。
了解更多我们的客户用该设备进行扇出面板级封装 (FOPLP) 生产的信息，请参阅我们的技术杂志LAYERS，或与当地销售或客服联系。
集群式Cluster机台主要用于单面板处理。Evatec 于2017年推出用于面板的设备，通过市场验证，适用于尺寸550x550mm 以下的基板生产。现在，最新设备可生产最大650 x 650mm 的基板尺寸。它集成了用于先进封装的除气，刻蚀和镀膜功能，应用于包括扇出面板级封装 (FOPLP) 和先进IC基板在内的生产。
选择CLUSTERLINE® 600：
- 灵活的集群式框架
- 可处理玻璃或除气量高的基板
- 可在生产过程中使基材保持静态，使颗粒数量最低
- 除气，刻蚀和镀膜工艺专业知识
CLUSTERLINE® 600开放式架构结构自带真空预载 (Load lock) 和真空6面传输通道，可根据需求轻松配置和扩展至最大650 x 650mm 的面板生产尺寸。
拥有机械装置和校准器操作端最多可集成四个载片端口
面板控制选项包括晶圆翘曲检测，离子发生器，静电感应装置，RF ID和面板温度感应器。
CLUSTERLINE® 600机台
- 真空预载和6面传送模块
- 最多配5个刻蚀或溅射工艺的工艺腔
- 新型高性能接口传输模块 (ITM) 和两个载片台
CLUSTERLINE® 600工艺模块/组件
- 全程独立工艺
- 大气压下批量除气
- 极低温刻蚀技术用于基板高除气
- 极佳均匀性的刻蚀和溅射技术
- 面板在工艺过程中全程静止，以达到最佳冷却和最少的颗粒物
源于电离层除气技术。在电离层压力下同时对21个基板进行除气，与均匀除气的真空工艺相比，性能优越，可在后续的工艺中获得最佳的薄膜附着力。
双频，双电极电容耦合等离子 (CCP) 刻蚀技术可以使面板在静止中，最少颗粒物状态时提供大面积刻蚀的均匀性。RIE刻蚀技术也可按客户工艺要求提供。
阴极旋转溅射技术可降低运营成本。就像在刻蚀中一样，面板在溅射过程中保持静态，以减少颗粒数量。
了解更多我们的客户用该设备进行扇出面板级封装 (FOPLP) 生产的信息，请参阅我们的技术杂志LAYERS，或与当地销售或客服联系。