先进封装
晶圆，芯片和面板级工艺方案
Evatec 提供面对先进封装市场量身定制，适用于各种封装形式的PVD解决方案。结合最佳的运营成本和独特的技术创新，以满足今天和未来的需求。
Evatec 的晶圆级工艺平台可处理最大300mm 晶圆并具有相当高的产量，支持使用长寿命靶材，并配备了一种独特的除气技术，在晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)，扇出型晶圆级封装 (FOWLP)，和2.5D / 3D 器件中达到最佳的接触电阻和膜层均匀性。
Evatec 市场领先的CLUSTERLINE® 600 机台支持扇出型面板级封装（FOPLP）应用和下一代IC基板技术。面板级PVD机台的设计和理念源自于经过实践检验的晶圆级平台，能够处理最大尺寸650x650mm的基板，提供最高水平的除气性能，膜层附着力和堆叠均匀性。
在封装级芯片的EMI屏蔽工艺中，Evatec提供了在高产量下有效保护芯片所需的台阶覆盖，膜层附着力和低工艺温度的生产解决方案。最新的技术支持性价比更高的多层软磁材料膜镀膜，用于集成磁学和EMI屏蔽，实现5G所需的低频和高频应用。
您可以在 LAYERS 杂志里了解我们应用在先进封装领域的薄膜生产解决方案的更多信息
应用于先进封装的EVATEC 机型
无论是在晶圆片还是在芯片级面板上加工，我们的机台都配备了适合于先进封装应用的客制化硬件和源技术。
我们的专家将根据您的工艺要求，产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。
晶圆级封装 - 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) & 扇出型晶圆级封装 (FOWLP)
有机钝化衬底、复合材料衬底如玻璃 - 硅键合或扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术等，给UBM和RDL工艺提出了新的挑战。Evatec 拥有专门的除气，刻蚀和金属化技术，可确保在超长的腔体防护套件使用寿命期限内 (30,000片晶圆) 保持稳定的，极低的接触电阻，在工艺质量上毫无妥协，并且可在扇出型封装应用中实现高达每小时56片晶圆。
除气技术
选用新的高气压或大气批量式除气技术，可同时加工最多44片晶圆，以便在150°C以下的适中温度中有效地去除挥发性有机化合物 (VOC)。
等离子预清洗与金属化技术
Evatec 的最新一代 Arctic Etch 离子源技术增强了挥发成分的泵送能力，并提供了所需的温度，颗粒管理和洁净度等工艺环境，在超长的腔体防护套件使用寿命期间内实现可靠的低Rc表现。
面板级封装 - 扇出型面板级封装（FOPLP）和下一代集成电路基板技术及解决方案
降低制造成本和创新基板技术的需求推动了业内对于面板的封装技术的需求。Evatec 提供专用的除气，刻蚀和金属化解决方案，在大尺寸基板上展现了优异的技术性能。
大气批量式除气，双频电容耦合等离子 (CCP) 刻蚀和先进的镀膜技术可轻松处理出气量极高的有机或复合衬底，最大可处理基板尺寸达650x650mm。在保持低衬底温度和低颗粒生成的同时，成熟的工艺解决方案还包括对薄衬底的安全处理，高翘曲，高产量的籽晶层镀膜。
2.5D / 3D 异构集成解决方案
垂直互连被认为是实现2.5D和3D应用的关键要素。Evatec的多元技术可为通孔提供最佳的保形台阶覆盖，并可适用于不同的通孔尺寸。Evatec 的高电离度溅射源 (HIS) 技术能够在高镀膜速率和长靶材寿命的条件下，实现在20:1深宽比的硅通孔中镀膜金属阻障层和铜种子层。
电磁屏蔽 - 封装级工艺
Evatec 的SOLARIS® 连续型溅射机台可提供软磁和金属堆叠的镀膜。例如使用Evatec的PentaPlus源技术，使如铜，金，不锈钢和钛能够拥有突出的台阶覆盖，其连续式结构可以以最低的运营成本实现高产量。
Evatec 提供面对先进封装市场量身定制，适用于各种封装形式的PVD解决方案。结合最佳的运营成本和独特的技术创新，以满足今天和未来的需求。
Evatec 的晶圆级工艺平台可处理最大300mm 晶圆并具有相当高的产量，支持使用长寿命靶材，并配备了一种独特的除气技术，在晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)，扇出型晶圆级封装 (FOWLP)，和2.5D / 3D 器件中达到最佳的接触电阻和膜层均匀性。
Evatec 市场领先的CLUSTERLINE® 600 机台支持扇出型面板级封装（FOPLP）应用和下一代IC基板技术。面板级PVD机台的设计和理念源自于经过实践检验的晶圆级平台，能够处理最大尺寸650x650mm的基板，提供最高水平的除气性能，膜层附着力和堆叠均匀性。
在封装级芯片的EMI屏蔽工艺中，Evatec提供了在高产量下有效保护芯片所需的台阶覆盖，膜层附着力和低工艺温度的生产解决方案。最新的技术支持性价比更高的多层软磁材料膜镀膜，用于集成磁学和EMI屏蔽，实现5G所需的低频和高频应用。
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应用于先进封装的EVATEC 机型
无论是在晶圆片还是在芯片级面板上加工，我们的机台都配备了适合于先进封装应用的客制化硬件和源技术。
我们的专家将根据您的工艺要求，产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。
晶圆级封装 - 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) & 扇出型晶圆级封装 (FOWLP)
有机钝化衬底、复合材料衬底如玻璃 - 硅键合或扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术等，给UBM和RDL工艺提出了新的挑战。Evatec 拥有专门的除气，刻蚀和金属化技术，可确保在超长的腔体防护套件使用寿命期限内 (30,000片晶圆) 保持稳定的，极低的接触电阻，在工艺质量上毫无妥协，并且可在扇出型封装应用中实现高达每小时56片晶圆。
除气技术
选用新的高气压或大气批量式除气技术，可同时加工最多44片晶圆，以便在150°C以下的适中温度中有效地去除挥发性有机化合物 (VOC)。
等离子预清洗与金属化技术
Evatec 的最新一代 Arctic Etch 离子源技术增强了挥发成分的泵送能力，并提供了所需的温度，颗粒管理和洁净度等工艺环境，在超长的腔体防护套件使用寿命期间内实现可靠的低Rc表现。
面板级封装 - 扇出型面板级封装（FOPLP）和下一代集成电路基板技术及解决方案
降低制造成本和创新基板技术的需求推动了业内对于面板的封装技术的需求。Evatec 提供专用的除气，刻蚀和金属化解决方案，在大尺寸基板上展现了优异的技术性能。
大气批量式除气，双频电容耦合等离子 (CCP) 刻蚀和先进的镀膜技术可轻松处理出气量极高的有机或复合衬底，最大可处理基板尺寸达650x650mm。在保持低衬底温度和低颗粒生成的同时，成熟的工艺解决方案还包括对薄衬底的安全处理，高翘曲，高产量的籽晶层镀膜。
2.5D / 3D 异构集成解决方案
垂直互连被认为是实现2.5D和3D应用的关键要素。Evatec的多元技术可为通孔提供最佳的保形台阶覆盖，并可适用于不同的通孔尺寸。Evatec 的高电离度溅射源 (HIS) 技术能够在高镀膜速率和长靶材寿命的条件下，实现在20:1深宽比的硅通孔中镀膜金属阻障层和铜种子层。
电磁屏蔽 - 封装级工艺
Evatec 的SOLARIS® 连续型溅射机台可提供软磁和金属堆叠的镀膜。例如使用Evatec的PentaPlus源技术，使如铜，金，不锈钢和钛能够拥有突出的台阶覆盖，其连续式结构可以以最低的运营成本实现高产量。