CLUSTERLINE® 200 II准备就绪

Evatec 的Bernd Heinz博士细述了为高性能压电薄膜提供经济的批量生产解决方案方面的最新进展

为什么是AlScN？

其强大的压电响应[1]使氮化铝钪(AlScxN)成为下一代射频滤波器，麦克风和扬声器，能量收集设备，压电微机械超声换能器以及许多其他传感器和执行器的非常有前途的候选者。AlScxN的工业用途需要可靠的镀膜技术，以控制均匀性和可重复性的严格规格内正确的织构纤锌矿结构中薄膜的生长。此外，由于多种可能的应用，必须在多种基板和电极材料上掌握该工艺。

挑战

在LAYERS的上一版中，我们报道了使用Evatec Multisource Technology生长的AlScxN膜 - 一种通过金属铝和钪靶的共同溅射镀AlScxN膜的独特解决方案。它可以镀具有任何所需Sc浓度的薄膜。而与AlScx化合物靶材的可用性无关。对于高均匀性AlScx复合膜的单靶镀膜，要求直径为300 mm的靶均匀地涂覆200 mm的基底。到目前为止，只有在Sc浓度低于10at％的情况下才能使用此类靶材。最近，靶材制造商成功地向Evatec 提供了高钪浓度的首批300 mm原型靶材。本文将报告从Sc浓度为30at％的300mm单个复合靶溅射出的AlScxN膜。使用更大的复合靶材而不是共溅射技术的明显优势是生产率提高 (提高了5倍),并且膜的均匀性明显更好 - 特别是厚度和应力。

以上内容摘自LAYERS 4 刊发于2018/2019的文章，阅读全文请点击此处。