FBARS的应力改善

Evatec科学家Andrea Mazzalai博士解释了如何在控制应力的情况下镀钼和钌电极的以及如何补充AlScN镀膜工艺，从而为在CLUSTERLINE® 200 II上生产高性能FBARS的全薄膜堆叠生产提供解决方案。

在第5代无线系统（5G）的发展中，对高性能双工器的追求正推动着具有几GHz谐振频率的最新FBAR设备的发展。在此范围内，薄膜弓形的相对较小的晶圆内偏移会导致明显的频移以及耦合系数的明显变化 (晶圆内相对较小的薄膜弓形的偏移会导致明显的频移以及耦合系数的明显变化)。因此，关于应力均匀性的严格要求不再局限于压电层，对于电极也变得越来越重要。

FBAR电极材料必须在低比电阻率和高声阻抗之间显示出良好的平衡，以使电阻损耗最小化并使压电层中的机械能份额最大化。 因此，大多数设计使用钼 (Mo),但最近钌 (Ru) 也越来越受欢迎。

因此，我们致力于将钼 (Mo) 和钌 (Ru) 工艺解决方案实现与Al1-xScxN相同出色的应力控制和均匀性水平。我们在开发压电层本身方面积累的专业知识和经验代表了扎实的基础，我们可以在此基础上进一步设计特定的工艺套件，并在我们的CLUSTERLINE® 200 II上以增强的应力均匀性来镀钼 (Mo) 和钌 (Ru)。

以上内容摘自LAYERS 4 刊发于2018/2019的文章，阅读全文请点击此处。