ワイドバンドギャップ（WBG）テクノロジー

SiCとGaNのステータスレポート（Yole Développement, Hong LinとAna Villamorによる）

パワーエレクトロニクス業界の強力なダイナミクスにより、Siが限界に近づくにつれて、WBGベースの材料、特にSiCとGaNの使用が増加しています。これらの材料をベースにしたデバイスは、その固有の特性により、次世代のエネルギー効率とパフォーマンスをリードしています。特に、GaNオンSiパワーデバイスは高周波アプリケーションに適し、SiCは高電力密度および高温インバーターに適しています。

活況を呈しているマーケット

Siパワーデバイスマーケットと比較するとまだ比較的小さいですが、SiCマーケットは、そのより成熟した技術により、GaNと比較してすでに比較的重要なサイズに達しています。 2017年、SiCパワーデバイスマーケットは3億米ドルを超えると推定され、これはGaNパワーデバイスの約10倍です。実際、数年前はまだマーケットが非常に小さかったのに対し、今日ではエンドユーザーが最終的なソリューションとしてSiCを採用し始めていることを確認できます。

現在、SiCマーケットの82％は、電源用のPFC、およびPVなどのアプリケーション用のハイブリッドモジュールで使用されるダイオードによって牽引されています。

Yole Développement（Yole）は、完全なSiCモジュールの実装も含み、充電インフラストラクチャを含むEV / HEVなどのアプリケーションにこれらのデバイスを導入することで、トランジスタのマーケットは56％のCAGR2017-2023で成長すると予想しています。確かに、これは業界全体でホットなトピックであり、すべての自動車メーカーとそのTier1サプライヤーがSiCソリューションを開発しています。

こちらは、LAYERS 4. Edition2018 / 2019の記事からの抜粋です。記事全文を読むには、ここをクリックしてください

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