オプトエレクトロニクス
LEDおよび高性能オプトエレクトロニクス向けのソリューション
TCO、金属、および様々なタイプのDBRソリューションの成膜のための費用効果の高いプロセスおよび生産ソリューションから、高度なプロセス制御を備えたAlNバッファー層の成膜まで、エバテックは幅広い標準およびカスタマイズされたシステムを提供します。 またエバテックは薄膜の均一性を最適化し、パーティクルレベルを低減し、最大12インチの基板（CLUSTERLINE®300など）に対応するプロセスと装置の安定性をさらに向上させることにより、パッシベーション/保護プロセス（SiOXベース）を含む将来のLEDの小型化の要求に対応します。そして、次世代マイクロLED /ディスプレイ技術のための多くのファブによって認定されています。
LED技術と同様に、エバテックはVCSELおよびEEL技術の製造チェーンの多くのプロセスにわたってノウハウを提供できます。 エバテックはLEDアプリケーションのDBR、TCO、金属膜、パッシベーション層向けの製造ソリューションを提供する上で、すでに15年以上のノウハウを持っています。そのノウハウを活用して、VCSELおよびEEL向けにカスタマイズされた薄膜プロセスを顧客と一緒に開発することもできます。
オプトエレクトロニクス向けのエバテックの装置群
さまざまなバッチ、クラスター、または完全に自動化されたインラインプラットフォームで、真空蒸着、スパッタリング、PECVD、およびPEALDテクノロジーを提供します。
エバテックの専門家が、プロセス要求、スループット、および工場インテグレーション要求に応じて適切なプラットフォームを見つけるお手伝いをします。写真のリンクをクリックして、各プラットフォームの詳細をご覧ください。
LEDデバイス（ミニLED、マイクロLED）
成熟したLED生産では、コストオブオーナーシップに加えて、LOP（光出力）や順方向電圧（Vf）などの技術的要因が支配的でした。しかし、新しいマイクロLEDの場合、現在のこの比較的初期の段階では他の課題に焦点が当てられています。
- 構造がはるかに薄いため、ウェーハ全体の膜厚の均一性、ウェーハ間、さらにバッチ間の再現性が重要になります。
- 通常2桁小さい構造であり、必要となるデバイスの歩留まりを達成するために、パーティクルをさらに適切に制御する必要があります。
マイクロLEDに要求される最小のパーティクルレベルと最高のプロセス安定性/再現性は、自動ロードロックシステムでのみ達成できます。プロセスチャンバーを継続的に真空下に保つロードロック技術は、プロセスの安定性を維持し、連続生産でパーティクルを減らすための最良の方法です。フロントエンドでの手動処理を排除することにより、パーティクルがさらに減少し、オペレーターの処理エラーがなくなります。また、製造プロセスを通じてすべてのウェーハを完全に追跡できます。
従来のLED製造と同様に、LEDプロセスチェーン全体を理解することが重要です。 長年のお客様との緊密な連携の経験から、デバイス全体のパフォーマンスと歩留まりの最良の結果は、パッケージの一部として個々のプロセスを最適化することから得られることを知っています。以下は、お客様に付加価値を提供できるプロセスです。
- TCO（例：ITO）
- Pコンタクト
- Nコンタクト
- 反射層（DBRまたは金属）
- キャッピング層（例：金属またはSiO2）
- 最終層（例：低応力パッシベーション）
マイクロLED技術開発のこの初期段階では、「マストランスファー」や「モノリシック」などのいくつかの製造アプローチが残っていますが、エバテックのTCO（ITO、AZOなど）、ミラー（DBR、Ag）、金属（Ni、Ti、Pt、Au、WTiなど）のノウハウにより、完全な可視スペクトルにわたる高透過率膜の成膜で両方をサポートすることができます。
LAYERSでエバテックの生産プラットフォームとマイクロLEDのプロセスについて詳しく読むことができます
レーザーダイオード（VCSEL、EEL）
3Dセンシング技術は携帯電話の顔認識などのアプリケーションですでに十分に確立されていますが、自動運転などの新しいアプリケーションでの他の3Dセンシングの技術的要求には、近赤外VCSEL やEELテクノロジーと共にタイムオブフライト（TOF）に基づく異なる3Dセンシング技術ソリューションが必要です。 一方、短波VCSELや青色VCSELなどの他のタイプのVCSELも、データコム、3D印刷、チップサイズの原子時計、高輝度光源などのアプリケーションで有望なマーケットの可能性があるため注目を集めています。
LEDアプリケーションにおけるDBR、TCO、金属、パッシベーション層の製造ソリューションを提供するための15年以上にわたるノウハウをすでに持っており、LEDテクノロジーと同様にVCSELおよびEELテクノロジーの製造チェーンの多くのプロセスにわたってノウハウを提供できます。そのノウハウを活用して、VCSELおよびEEL向けにカスタマイズされた薄膜プロセスを顧客と一緒に開発することもできます。
光子がアクティブ領域内で単一の反射のみを受ける可能性があるLEDとは異なり、光子はVCSELキャビティ内で何度も反射される可能性があるため、光出力の許容できない損失を回避するには、前面と背面の両方で非常に高い反射率を持つDBR層特性が重要です。
スパッタリングにより形成されたDBR層は以下の要素により、特に青色領域において従来のエピタキシャル層に比べてデバイスのパフォーマンスを大幅に向上させる可能性があります。
- 光出力を改善するためのより高いピーク反射率
- より広い波長範囲のためのより広い阻止帯域
- 収量を向上させるためのより低いスペクトルシフト
- 表面応力を低減するためのより薄いスタック構造
- 効率を高めるために総抵抗を下げる
LAYERSでVCSELに関するエバテックの製造プラットフォームとプロセスについて詳しくご覧ください
TCO、金属、および様々なタイプのDBRソリューションの成膜のための費用効果の高いプロセスおよび生産ソリューションから、高度なプロセス制御を備えたAlNバッファー層の成膜まで、エバテックは幅広い標準およびカスタマイズされたシステムを提供します。 またエバテックは薄膜の均一性を最適化し、パーティクルレベルを低減し、最大12インチの基板（CLUSTERLINE®300など）に対応するプロセスと装置の安定性をさらに向上させることにより、パッシベーション/保護プロセス（SiOXベース）を含む将来のLEDの小型化の要求に対応します。そして、次世代マイクロLED /ディスプレイ技術のための多くのファブによって認定されています。
LED技術と同様に、エバテックはVCSELおよびEEL技術の製造チェーンの多くのプロセスにわたってノウハウを提供できます。 エバテックはLEDアプリケーションのDBR、TCO、金属膜、パッシベーション層向けの製造ソリューションを提供する上で、すでに15年以上のノウハウを持っています。そのノウハウを活用して、VCSELおよびEEL向けにカスタマイズされた薄膜プロセスを顧客と一緒に開発することもできます。
オプトエレクトロニクス向けのエバテックの装置群
さまざまなバッチ、クラスター、または完全に自動化されたインラインプラットフォームで、真空蒸着、スパッタリング、PECVD、およびPEALDテクノロジーを提供します。
エバテックの専門家が、プロセス要求、スループット、および工場インテグレーション要求に応じて適切なプラットフォームを見つけるお手伝いをします。写真のリンクをクリックして、各プラットフォームの詳細をご覧ください。
LEDデバイス（ミニLED、マイクロLED）
成熟したLED生産では、コストオブオーナーシップに加えて、LOP（光出力）や順方向電圧（Vf）などの技術的要因が支配的でした。しかし、新しいマイクロLEDの場合、現在のこの比較的初期の段階では他の課題に焦点が当てられています。
- 構造がはるかに薄いため、ウェーハ全体の膜厚の均一性、ウェーハ間、さらにバッチ間の再現性が重要になります。
- 通常2桁小さい構造であり、必要となるデバイスの歩留まりを達成するために、パーティクルをさらに適切に制御する必要があります。
マイクロLEDに要求される最小のパーティクルレベルと最高のプロセス安定性/再現性は、自動ロードロックシステムでのみ達成できます。プロセスチャンバーを継続的に真空下に保つロードロック技術は、プロセスの安定性を維持し、連続生産でパーティクルを減らすための最良の方法です。フロントエンドでの手動処理を排除することにより、パーティクルがさらに減少し、オペレーターの処理エラーがなくなります。また、製造プロセスを通じてすべてのウェーハを完全に追跡できます。
従来のLED製造と同様に、LEDプロセスチェーン全体を理解することが重要です。 長年のお客様との緊密な連携の経験から、デバイス全体のパフォーマンスと歩留まりの最良の結果は、パッケージの一部として個々のプロセスを最適化することから得られることを知っています。以下は、お客様に付加価値を提供できるプロセスです。
- TCO（例：ITO）
- Pコンタクト
- Nコンタクト
- 反射層（DBRまたは金属）
- キャッピング層（例：金属またはSiO2）
- 最終層（例：低応力パッシベーション）
マイクロLED技術開発のこの初期段階では、「マストランスファー」や「モノリシック」などのいくつかの製造アプローチが残っていますが、エバテックのTCO（ITO、AZOなど）、ミラー（DBR、Ag）、金属（Ni、Ti、Pt、Au、WTiなど）のノウハウにより、完全な可視スペクトルにわたる高透過率膜の成膜で両方をサポートすることができます。
LAYERSでエバテックの生産プラットフォームとマイクロLEDのプロセスについて詳しく読むことができます
レーザーダイオード（VCSEL、EEL）
3Dセンシング技術は携帯電話の顔認識などのアプリケーションですでに十分に確立されていますが、自動運転などの新しいアプリケーションでの他の3Dセンシングの技術的要求には、近赤外VCSEL やEELテクノロジーと共にタイムオブフライト（TOF）に基づく異なる3Dセンシング技術ソリューションが必要です。 一方、短波VCSELや青色VCSELなどの他のタイプのVCSELも、データコム、3D印刷、チップサイズの原子時計、高輝度光源などのアプリケーションで有望なマーケットの可能性があるため注目を集めています。
LEDアプリケーションにおけるDBR、TCO、金属、パッシベーション層の製造ソリューションを提供するための15年以上にわたるノウハウをすでに持っており、LEDテクノロジーと同様にVCSELおよびEELテクノロジーの製造チェーンの多くのプロセスにわたってノウハウを提供できます。そのノウハウを活用して、VCSELおよびEEL向けにカスタマイズされた薄膜プロセスを顧客と一緒に開発することもできます。
光子がアクティブ領域内で単一の反射のみを受ける可能性があるLEDとは異なり、光子はVCSELキャビティ内で何度も反射される可能性があるため、光出力の許容できない損失を回避するには、前面と背面の両方で非常に高い反射率を持つDBR層特性が重要です。
スパッタリングにより形成されたDBR層は以下の要素により、特に青色領域において従来のエピタキシャル層に比べてデバイスのパフォーマンスを大幅に向上させる可能性があります。
- 光出力を改善するためのより高いピーク反射率
- より広い波長範囲のためのより広い阻止帯域
- 収量を向上させるためのより低いスペクトルシフト
- 表面応力を低減するためのより薄いスタック構造
- 効率を高めるために総抵抗を下げる
LAYERSでVCSELに関するエバテックの製造プラットフォームとプロセスについて詳しくご覧ください