パワーデバイス
メタライゼーションと薄厚ウェーハ処理。
パワーデバイスアプリケーションにおけるエバテックの長年の経験を活用して、生産性、プロセス安定性、歩留まりを向上させ、生産コストを削減することができます。 MOSFET、IGBT IGCT、LDMOS、SiC、およびGaNパワーデバイス向け大量生産用の高速スパッタリングまたは真空蒸着装置を提供しています。
スパッタリング技術の領域内で、CLUSTERLINE®ファミリーの200mmおよび300mm装置は、厚膜フロントメタルの形成に対して高スループットのアプリケーションを提供します。高速スパッタリングソースと高度な温度管理のためのクランプレスヒーターチャック（従来型または静電チャック– ESC）を備えた専用PVDプロセスモジュールでの枚葉ウェーハ処理により、厳格なプロセス制御と良好なパーティクル性能が保証されます。クラスターツールアーキテクチャの並列処理機能と組み合わせて、CLUSTERLINE®は、最も要求の厳しいアプリケーションに最適なプロセス安定性と最高の生産性を提供します。
エバテックの真空蒸着ソリューションは、エバテックの業界標準のBAKファミリーに基づいて構築されています。プラネタリーハンドリングおよびフリップシステムは、片面または両面プロセスで表面の厚膜アルミニウム層または裏面のコンタクトスタックを形成するための最先端技術です。
パワーデバイスの薄膜製造のご提案詳細はLAYERSでご覧いただけます。
パワーデバイス向けのエバテックの装置群
バッチ、クラスター、また完全自動化されたインラインプラットフォームで、真空蒸着およびスパッタリング技術を提供します。
エバテックの専門家が、プロセス要求、スループット、および工場インテグレーション要求に応じて適切なプラットフォームを見つけるお手伝いをします。写真のリンクをクリックして、各プラットフォームの詳細をご覧ください。
薄厚ウェーハの処理
CLUSTERLINE®のハンドリング実証済みの薄いウェーハ上のBSMやSiCやGaN のワイドバンドギャップ技術などのアプリケーションでは、欠陥のない金属化プロセスのために、厚み70ミクロンまでの200mmウェーハおよび60ミクロンまでの200 / 300mmTAIKOウェーハの安全かつ直接的な処理が可能です。
CLUSTERLINE®200および300は、Ar / H2によるIn-Situでのプリエッチング、その場でのアニール処理、応力および温度の制御、およびウェーハの反りが最も少ない高品質のオーミックコンタクト形成のための裏面プロセスを提供します。
SiCおよびGaNワイドバンドギャップ技術
SiCおよびGaN on Siアプリケーションの場合、エバテックの装置群は、要求の厳しい新しいデバイスの開発および大量生産のための高度な成膜プロセスを可能にする多種多様なプロセス技術を提供します。詳細については、お問い合わせください。
パワーデバイスアプリケーションにおけるエバテックの長年の経験を活用して、生産性、プロセス安定性、歩留まりを向上させ、生産コストを削減することができます。 MOSFET、IGBT IGCT、LDMOS、SiC、およびGaNパワーデバイス向け大量生産用の高速スパッタリングまたは真空蒸着装置を提供しています。
スパッタリング技術の領域内で、CLUSTERLINE®ファミリーの200mmおよび300mm装置は、厚膜フロントメタルの形成に対して高スループットのアプリケーションを提供します。高速スパッタリングソースと高度な温度管理のためのクランプレスヒーターチャック（従来型または静電チャック– ESC）を備えた専用PVDプロセスモジュールでの枚葉ウェーハ処理により、厳格なプロセス制御と良好なパーティクル性能が保証されます。クラスターツールアーキテクチャの並列処理機能と組み合わせて、CLUSTERLINE®は、最も要求の厳しいアプリケーションに最適なプロセス安定性と最高の生産性を提供します。
エバテックの真空蒸着ソリューションは、エバテックの業界標準のBAKファミリーに基づいて構築されています。プラネタリーハンドリングおよびフリップシステムは、片面または両面プロセスで表面の厚膜アルミニウム層または裏面のコンタクトスタックを形成するための最先端技術です。
パワーデバイスの薄膜製造のご提案詳細はLAYERSでご覧いただけます。
パワーデバイス向けのエバテックの装置群
バッチ、クラスター、また完全自動化されたインラインプラットフォームで、真空蒸着およびスパッタリング技術を提供します。
エバテックの専門家が、プロセス要求、スループット、および工場インテグレーション要求に応じて適切なプラットフォームを見つけるお手伝いをします。写真のリンクをクリックして、各プラットフォームの詳細をご覧ください。
薄厚ウェーハの処理
CLUSTERLINE®のハンドリング実証済みの薄いウェーハ上のBSMやSiCやGaN のワイドバンドギャップ技術などのアプリケーションでは、欠陥のない金属化プロセスのために、厚み70ミクロンまでの200mmウェーハおよび60ミクロンまでの200 / 300mmTAIKOウェーハの安全かつ直接的な処理が可能です。
CLUSTERLINE®200および300は、Ar / H2によるIn-Situでのプリエッチング、その場でのアニール処理、応力および温度の制御、およびウェーハの反りが最も少ない高品質のオーミックコンタクト形成のための裏面プロセスを提供します。
SiCおよびGaNワイドバンドギャップ技術
SiCおよびGaN on Siアプリケーションの場合、エバテックの装置群は、要求の厳しい新しいデバイスの開発および大量生産のための高度な成膜プロセスを可能にする多種多様なプロセス技術を提供します。詳細については、お問い合わせください。