先端パッケージング
ウェーハ、チップ、パネルレベルのプロセスソリューション
エバテックは、先端パッケージング市場のさまざまなパッケージングプラットフォームに合わせたPVDソリューションを提供しています。これらは、業界最高のコストオブオーナシップと独自の革新的技術を組み合わせて、現在および将来の要求に対応します。
最大300mm基板を処理可能とするエバテックのプラットフォームは、最高レベルのスループットを特長とし、ターゲットの長寿命を可能とし、WLCSP、FOWLP、および2.5D /3Dで必要とされる業界最高の接触抵抗と均一性を実現する独自の脱ガス技術を備えています。
FOPLPアプリケーションと次世代IC基板技術は、マーケットをリードするエバテックのCLUSTERLINE®600プラットフォームによってサポートされています。パネルベースのPVD装置プラットフォームの設計とコンセプトは、現場で実証済みのウェーハレベルのプラットフォームに基づいており、最大650 x 650 mmの基板サイズを処理可能とし、最高レベルのガス放出性能、膜の密着性、均一性を実現します。
パッケージレベルでのチップのEMIシールドにおいて、エバテックは、高スループットでチップを効果的に保護するために必要な段差被覆性、膜密着性、および低プロセス温度を備えた生産ソリューションを提供します。最新の開発では、5Gを可能にするために必要な低周波および高周波アプリケーションをサポートする統合的磁気およびEMIシールドに使用される軟磁性材料の非常に費用効果の高い多層膜形成をサポートします。
アドバンスパッケージングの薄膜製造のご提案詳細はLAYERSでご覧いただけます。
先端パッケージングの向けのエバテックの装置群
ウェーハ、チップレベルのパネルのいずれで処理する場合でも、エバテックの生産プラットフォームには、先端パッケージングアプリケーションに適した個別要求に対応可能な前処理およびソース技術が装備されています。
エバテックの専門家が、プロセス要求、スループット、および工場でのインテグレーション要求に応じて適切なプラットフォームを見つけるお手伝いをします。写真のリンクをクリックして、各プラットフォームの詳細をご覧ください
ウェーハレベルパッケージング – WLCSP、FOWLP
有機不動態化基板、ガラス上のシリコンなどの複合基板、またはファンアウトウェーハレベルパッケージ（FOWLP）技術は、UBMおよびRDLウェーハの処理に新たな課題をもたらします。エバテックは、専用の脱ガス、エッチング、金属膜成膜ソースを提供し、ファンアウトアプリケーションでプロセス品質を損なうことなく、1時間あたり最大56ウェーハのスループットで、30,000ウェーハの長寿命シールドキットライフを達成し、安定した低接触抵抗を保証します。
脱ガス技術
150℃以下の適切な温度で揮発性有機化合物を効果的に除去するために、最大44枚のウェーハを同時に処理できる新しい高圧または大気圧バッチ脱ガス技術を選択できます。
エッチングおよび金属膜成膜技術
エバテックの最新世代の「ArcticEtch」ソーステクノロジーは、残留した揮発性成分を効率的に排気する機能、必要な基板温度、低パーティクル管理、および高クリーン度のプロセス環境を提供し、シールドキットの長寿命化及び高信頼性の低コンタクト抵抗を実現します。
パネルレベルのパッケージング - FOPLPおよび次世代IC基板
生産コストの削減を求める業界の動きと革新的な基板技術の必要性が、パネルベースのパッケージング技術の需要と要求を推進しています。 エバテックは、大型基板上で優れた技術的性能を可能とする専用の脱ガス、エッチング、および金属膜成膜ソリューションを提供します。
大気バッチ型の脱ガス、デュアル周波数CCPエッチング、および最先端の成膜技術により、最大650x650mmの基板サイズで、ガス放出の激しい有機または複合素材基板を簡単に処理できます。実証済みのプロセスソリューションは、薄い基板に対する安全な取り扱い、高い基板反りに対する許容量、低い基板温度と低パーティクルレベルを維持しつつ高収率のシード層の成膜より構成されます。
2.5D / 3D異種インテグレーション
垂直相互接続は、2.5Dおよび3Dアプリケーションを可能にするための重要な要素と見なされています。 エバテックの様々な要素技術により、様々な寸法のビアに対して、可能な限り最良のコンフォーマルな側壁への成膜を可能とします。エバテックの高イオン化スパッタ（HIS）ソース技術により、最大20：1のアスペクト比のビアに対し、高い堆積速度と長ターゲットライフで金属バリアと銅シード層を成膜可能となります。
EMIシールド - パッケージレベルのプロセス
エバテックのSOLARIS®インラインスパッタリングプラットフォームは、PentaPlusソーステクノロジーにより卓越した側壁被膜性を備えたCu、Au、St Steel、Tiのような軟磁性体と金属の積層膜の成膜を実現します。インラインアーキテクチャにより、最小のコストオブオーナシップと高スループットが可能になります。
エバテックは、先端パッケージング市場のさまざまなパッケージングプラットフォームに合わせたPVDソリューションを提供しています。これらは、業界最高のコストオブオーナシップと独自の革新的技術を組み合わせて、現在および将来の要求に対応します。
最大300mm基板を処理可能とするエバテックのプラットフォームは、最高レベルのスループットを特長とし、ターゲットの長寿命を可能とし、WLCSP、FOWLP、および2.5D /3Dで必要とされる業界最高の接触抵抗と均一性を実現する独自の脱ガス技術を備えています。
FOPLPアプリケーションと次世代IC基板技術は、マーケットをリードするエバテックのCLUSTERLINE®600プラットフォームによってサポートされています。パネルベースのPVD装置プラットフォームの設計とコンセプトは、現場で実証済みのウェーハレベルのプラットフォームに基づいており、最大650 x 650 mmの基板サイズを処理可能とし、最高レベルのガス放出性能、膜の密着性、均一性を実現します。
パッケージレベルでのチップのEMIシールドにおいて、エバテックは、高スループットでチップを効果的に保護するために必要な段差被覆性、膜密着性、および低プロセス温度を備えた生産ソリューションを提供します。最新の開発では、5Gを可能にするために必要な低周波および高周波アプリケーションをサポートする統合的磁気およびEMIシールドに使用される軟磁性材料の非常に費用効果の高い多層膜形成をサポートします。
アドバンスパッケージングの薄膜製造のご提案詳細はLAYERSでご覧いただけます。
先端パッケージングの向けのエバテックの装置群
ウェーハ、チップレベルのパネルのいずれで処理する場合でも、エバテックの生産プラットフォームには、先端パッケージングアプリケーションに適した個別要求に対応可能な前処理およびソース技術が装備されています。
エバテックの専門家が、プロセス要求、スループット、および工場でのインテグレーション要求に応じて適切なプラットフォームを見つけるお手伝いをします。写真のリンクをクリックして、各プラットフォームの詳細をご覧ください
ウェーハレベルパッケージング – WLCSP、FOWLP
有機不動態化基板、ガラス上のシリコンなどの複合基板、またはファンアウトウェーハレベルパッケージ（FOWLP）技術は、UBMおよびRDLウェーハの処理に新たな課題をもたらします。エバテックは、専用の脱ガス、エッチング、金属膜成膜ソースを提供し、ファンアウトアプリケーションでプロセス品質を損なうことなく、1時間あたり最大56ウェーハのスループットで、30,000ウェーハの長寿命シールドキットライフを達成し、安定した低接触抵抗を保証します。
脱ガス技術
150℃以下の適切な温度で揮発性有機化合物を効果的に除去するために、最大44枚のウェーハを同時に処理できる新しい高圧または大気圧バッチ脱ガス技術を選択できます。
エッチングおよび金属膜成膜技術
エバテックの最新世代の「ArcticEtch」ソーステクノロジーは、残留した揮発性成分を効率的に排気する機能、必要な基板温度、低パーティクル管理、および高クリーン度のプロセス環境を提供し、シールドキットの長寿命化及び高信頼性の低コンタクト抵抗を実現します。
パネルレベルのパッケージング - FOPLPおよび次世代IC基板
生産コストの削減を求める業界の動きと革新的な基板技術の必要性が、パネルベースのパッケージング技術の需要と要求を推進しています。 エバテックは、大型基板上で優れた技術的性能を可能とする専用の脱ガス、エッチング、および金属膜成膜ソリューションを提供します。
大気バッチ型の脱ガス、デュアル周波数CCPエッチング、および最先端の成膜技術により、最大650x650mmの基板サイズで、ガス放出の激しい有機または複合素材基板を簡単に処理できます。実証済みのプロセスソリューションは、薄い基板に対する安全な取り扱い、高い基板反りに対する許容量、低い基板温度と低パーティクルレベルを維持しつつ高収率のシード層の成膜より構成されます。
2.5D / 3D異種インテグレーション
垂直相互接続は、2.5Dおよび3Dアプリケーションを可能にするための重要な要素と見なされています。 エバテックの様々な要素技術により、様々な寸法のビアに対して、可能な限り最良のコンフォーマルな側壁への成膜を可能とします。エバテックの高イオン化スパッタ（HIS）ソース技術により、最大20：1のアスペクト比のビアに対し、高い堆積速度と長ターゲットライフで金属バリアと銅シード層を成膜可能となります。
EMIシールド - パッケージレベルのプロセス
エバテックのSOLARIS®インラインスパッタリングプラットフォームは、PentaPlusソーステクノロジーにより卓越した側壁被膜性を備えたCu、Au、St Steel、Tiのような軟磁性体と金属の積層膜の成膜を実現します。インラインアーキテクチャにより、最小のコストオブオーナシップと高スループットが可能になります。