Choose Plasmabox for pinhole free, high purity films and simple reactor maintenance
From the smallest to the biggest- get an idea how many substrates our systems can hold in a single batch
生産実績のあるPLASMABOX®コンセプトは、特殊な用途向けの膜特性を改善し、差動ポンプとIn-Situクリーニングによる相互汚染を減らすことができることを意味します。圧力差と外側のチャンバー低温壁により、プロセスチャンバーへの不純物の汚染を防ぎ、膜の品質を向上させます。エバテックのPECVDプロセスは、他のPECVDまたはCVDシステムと比較して低温で成膜されるため、以下のような大きなメリットがあります。
エバテックのノウハウとプラットフォームの詳細については、個々のタブもしくは、ここを クリック してお問い合わせください。
エバテックのPLASMABOX®プロセスは、NH3、SiH4、H2、Ar、He、N2O、N2、SF6、O2、N2、SiF4などのプロセスガスを使用して、SiO2、SiN、SiOxNy、SiOF、α-Siなどの層の成膜プロセスを実現する方法を熟知しています。
PLASMABOX®の断面を見るにはここをクリックしてください。
PECVDプラットフォーム
PLASMABOX®を使用したPECVD技術は、エバテックの生産実績のあるCLUSTERLINE®200プラットフォームで利用できます。
エバテックの専門家がお手伝いしますので、ご不明な点がございましたらお問い合わせください。または、写真のリンクをClickして詳細をご覧ください。
生産実績のあるPLASMABOX®コンセプトは、特殊な用途向けの膜特性を改善し、差動ポンプとIn-Situクリーニングによる相互汚染を減らすことができることを意味します。圧力差と外側のチャンバー低温壁により、プロセスチャンバーへの不純物の汚染を防ぎ、膜の品質を向上させます。エバテックのPECVDプロセスは、他のPECVDまたはCVDシステムと比較して低温で成膜されるため、以下のような大きなメリットがあります。
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エバテックのPLASMABOX®プロセスは、NH3、SiH4、H2、Ar、He、N2O、N2、SF6、O2、N2、SiF4などのプロセスガスを使用して、SiO2、SiN、SiOxNy、SiOF、α-Siなどの層の成膜プロセスを実現する方法を熟知しています。
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PLASMABOX®を使用したPECVD技術は、エバテックの生産実績のあるCLUSTERLINE®200プラットフォームで利用できます。
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